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NCE80H12D N沟道 TO-263 80V 2019批次 MOSFET
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商品编号：NS01000245391908
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-263
型号：NCE80H12D
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE80H12D N管 80V 120A TO-263 规格尺寸:TO-263 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):120A 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2019 品牌:新洁能/NCE NCE80H12D,MOSFET尾料，2019批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE80H12D，TO-263封装，漏源电压(Vdss):80V，连续漏极电流(Id):120A ，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE65T360F N沟道 TO-220F 32.6W 650V 2019批次 MOSFET
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商品编号：NS01000237841911
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-220F
型号：NCE65T360F
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE65T360F N管 650V 11.5A TO-220F 规格尺寸:TO-220F 功率(Pd):32.6W 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2019 品牌:新洁能/NCE NCE65T360F,MOSFET尾料，2019批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE65T360F，TO-220F封装，漏源电压(Vdss):650V，连续漏极电流(Id):11.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA ，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE65T360F N沟道 TO-220F 32.6W 650V 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000237842109
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-220F
型号：NCE65T360F
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE65T360F N管 650V 11.5A TO-220F 规格尺寸:TO-220F 功率(Pd):32.6W 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE65T360F,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE65T360F，TO-220F封装，漏源电压(Vdss):650V，连续漏极电流(Id):11.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA ，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE3407 P沟道 SOT-23 1.4W 30V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000255342208
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOT-23
型号：NCE3407
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE3407 P管 30V 4.1A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.4W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE3407,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE3407，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):4.1A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4.1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE3400XY N沟道 SOT-23 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000293682210
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOT-23
型号：NCE3400XY
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE3400XY N管 30V 5.1A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE3400XY,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3400XY，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE2333Y P沟道 SOT-23 1.8W 12V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000265642204
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOT-23
型号：NCE2333Y
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE2333Y P管 12V 6A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.8W 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE2333Y,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE2333Y，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):12V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,6A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE2007N 2个N沟道 SOT-23 1.5W 20V 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000265062110
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOT-23
型号：NCE2007N
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:2个N沟道 核心参数:NCE2007N N管 20V 6.5A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.5W 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE2007N,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCE2个N沟道NCE2007N，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):6.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE9435A P沟道 SOP-8 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000259892105
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOP-8
型号：NCE9435A
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE9435A P管 30V 5.3A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE9435A,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE9435A，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE6012AS N沟道 SOP-8 3W 60V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000300202202
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOP-8
型号：NCE6012AS
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6012AS N管 60V 12A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 功率(Pd):3W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE6012AS,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6012AS，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):12A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,12A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE6008AS N沟道 SOP-8 2.1W 60V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000258492210
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOP-8
型号：NCE6008AS
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6008AS N管 60V 8A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 功率(Pd):2.1W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE6008AS,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6008AS，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):8A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,8A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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- ￥0.55元
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NCE6005AS 2个N沟道 SOP-8 2W 60V 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000251572110
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOP-8
型号：NCE6005AS
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:2个N沟道 核心参数:NCE6005AS N管 60V 5A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 功率(Pd):2W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE6005AS,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCE2个N沟道NCE6005AS，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE6005AS 2个N沟道 SOP-8 2W 60V 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000251572108
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOP-8
型号：NCE6005AS
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:2个N沟道 核心参数:NCE6005AS N管 60V 5A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 功率(Pd):2W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE6005AS,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCE2个N沟道NCE6005AS，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE2312 N沟道 SOT-23 1.25W 20V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000241122202
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOT-23
型号：NCE2312
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE2312N管 20V 4.5A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.25W 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@4.5V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE2312,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE2312，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):4.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@4.5V,4.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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- 3000+
- ￥0.13元
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NCE4606 P沟道 SOP-8 2W 30V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000263322212
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOP-8
型号：NCE4606
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE4606 P+N管 30V SOP-8_150mil 规格尺寸:SOP-8 功率(Pd):2W 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A；7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):255pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):35pF@15V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE4606,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE4606，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):6.5A；7A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,6A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):255pF@15V，反向传输电容(Crss@Vds):35pF@15V，工厂呆滞料，价格特惠。
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- ￥0.41元
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NCE30PD08S P沟道 SOP-8 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000253772203
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOP-8
型号：NCE30PD08S
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE30PD08S P管 30V 8A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE30PD08S,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE30PD08S，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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- 4000+
- ￥0.895元
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NCE0106Z N沟道 TO-92 3W 100V 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000246472103
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-92
型号：NCE0106Z
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE0106Z N管 100V 6A TO-92 规格尺寸:TO-92 功率(Pd):3W 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE0106Z,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE0106Z，TO-92封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V ，输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V ，反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V，工厂呆滞料，价格特惠。
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陶瓷电容(474)
贴片铝电解电容(34)
钽电容(9)
直插铝电解电容(77)
圆片瓷介电容(75)
独石电容(21)
厚膜电阻(1602)
薄膜电阻(192)
合金电阻(13)
金属膜电阻(17)
金属氧化膜电阻(5)
贴片压敏电阻(3)
贴片热敏电阻(3)
贴片自恢复保险丝(10)
直插排阻(11)
直插压敏电阻(38)
直插热敏电阻(16)
直插自恢复保险丝(1)
叠层电感(127)
绕线电感(36)
功率电感(95)
共模电感(1)
贴片磁珠(106)
色环电感(9)
工字电感(22)
通用二极管(29)
稳压二极管(84)
直插TVS管(5)
肖特基二极管(42)
整流桥(3)
发光二极管(16)
防静电管(9)
快恢复二极管(20)
半导体放电管(5)
开关二极管(32)
贴片TVS管(44)
三极管(128)
MOSFET(90)
线性稳压器(24)
运算放大器(3)
音频功率放大器(2)
电源芯片(4)
电位器(3)
比较器(2)
温度传感器(1)
三端稳压管(1)
发射管(1)
LED显示驱动(1)
电压基准芯片(1)
其他(21)
石英晶体谐振器(17)
