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NCE80H12D N沟道 TO-263 80V 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000245392104
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-263
型号：NCE80H12D
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE80H12D N管 80V 120A TO-263 规格尺寸:TO-263 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):120A 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE80H12D,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE80H12D，TO-263封装，漏源电压(Vdss):80V，连续漏极电流(Id):120A ，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE65T360F N沟道 TO-220F 32.6W 650V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000237842201
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-220F
型号：NCE65T360F
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE65T360F N管 650V 11.5A TO-220F 规格尺寸:TO-220F 功率(Pd):32.6W 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE65T360F,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE65T360F，TO-220F封装，漏源电压(Vdss):650V，连续漏极电流(Id):11.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA ，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE3401AY P沟道 SOT-23 1.3W 30V 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000252592106
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOT-23
型号：NCE3401AY
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE3401AY N管 30V 4.4A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.3W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE3401AY,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE3401AY，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):4.4A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,4.2A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE3400XY N沟道 SOT-23 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000293682205
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOT-23
型号：NCE3400XY
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE3400XY N管 30V 5.1A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE3400XY,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3400XY，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE2333Y P沟道 SOT-23 1.8W 12V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000265642203
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOT-23
型号：NCE2333Y
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE2333Y P管 12V 6A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.8W 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE2333Y,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE2333Y，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):12V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,6A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE6008AS N沟道 SOP-8 2.1W 60V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000258492206
品牌：新洁能/NCE
封装规格：SOP-8
型号：NCE6008AS
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6008AS N管 60V 8A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 功率(Pd):2.1W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE6008AS,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6008AS，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):8A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,8A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP095N10AG N沟道 DFN5x6-8L 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000327672208
品牌：新洁能/NCE
封装规格：DFN5x6-8L
型号：NCEP095N10AG
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP095N10AG N管 100V 610A DFN5x6-8L 规格尺寸:DFN5x6-8L 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP095N10AG,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP095N10AG，DFN5x6-8L封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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- ￥1.27元
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NCE3420 N沟道 1.25W 20V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000325482211
品牌：新洁能/NCE
封装规格：
型号：NCE3420
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE3420 N管 20V 6A 功率(Pd):1.25W 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE3420,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3420，封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE30P20Q P沟道 DFN3.3X3.3-8L 35W 30V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000300042206
品牌：新洁能/NCE
封装规格：DFN3.3X3.3-8L
型号：NCE30P20Q
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE30P20Q P管 30V 20A DFN3.3X3.3-8L 规格尺寸:DFN3.3X3.3-8L 功率(Pd):35W 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):45.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):2.13nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE30P20Q,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE30P20Q，DFN3.3X3.3-8L封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):20A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,15A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):45.6nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):2.13nF@25V，反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V，工厂呆滞料，价
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NCE1216 P沟道 DFN2x2-6 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000300692206
品牌：新洁能/NCE
封装规格：DFN2x2-6
型号：NCE1216
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE1216 P管 12V 16A DFN2x2-6 规格尺寸:DFN2x2-6 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE1216,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE1216，DFN2x2-6封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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- ￥0.425元
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NCEP039N10D N沟道 TO-263 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000277792106
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-263
型号：NCEP039N10D
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP039N10D N管 100V 135A TO-263 规格尺寸:TO-263 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCEP039N10D,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP039N10D，TO-263封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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- 800+
- ￥2.45元
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NCEP039N10D N沟道 TO-263 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000277792212
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-263
型号：NCEP039N10D
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP039N10D N管 100V 135A TO-263 规格尺寸:TO-263 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP039N10D,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP039N10D，TO-263封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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- 800+
- ￥2.45元
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NCE82H140D N沟道 TO-263 220W 82V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000257722205
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-263
型号：NCE82H140D
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE82H140D N管 82V 140A TO-263 规格尺寸:TO-263 功率(Pd):220W 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):82V 连续漏极电流(Id):140A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):158nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):7.9nF@40V 反向传输电容(Crss@Vds):384pF@40V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE82H140D,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE82H140D，TO-263封装，漏源电压(Vdss):82V，连续漏极电流(Id):140A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):158nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):7.9nF@40V，反向传输电容(Crss@Vds):384pF@40V，工厂呆滞料，价格特惠。
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- ￥1.53元
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NCE3095K N沟道 TO-252 95W 30V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000245712201
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-252
型号：NCE3095K
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NEC3095K N管 30V 95A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):95W 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):95A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):38.4nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.784nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):212pF@15V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE3095K,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3095K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):95A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):38.4nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):1.784nF@15V，反向传输电容(Crss@Vds):212pF@15V，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP60T12AK N沟道 TO-252 180W 60V 2022批次 MOSFET
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商品编号：NS01000246372212
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-252
型号：NCEP60T12AK
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP60T12AK N管 60V 120A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):180W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP60T12AK,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP60T12AK，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):120A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,60A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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- ￥1.74元
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NCE6990K N沟道 TO-252 2021批次 MOSFET
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商品编号：NS01000252142102
品牌：新洁能/NCE
封装规格：TO-252
型号：NCE6990K
规格描述：
标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6990K N管 69V 90A TO-252 规格尺寸:TO-252 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE6990K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6990K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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陶瓷电容(474)
贴片铝电解电容(34)
钽电容(9)
直插铝电解电容(77)
圆片瓷介电容(75)
独石电容(21)
厚膜电阻(1602)
薄膜电阻(192)
合金电阻(13)
金属膜电阻(17)
金属氧化膜电阻(5)
贴片压敏电阻(3)
贴片热敏电阻(3)
贴片自恢复保险丝(10)
直插排阻(11)
直插压敏电阻(38)
直插热敏电阻(16)
直插自恢复保险丝(1)
叠层电感(127)
绕线电感(36)
功率电感(95)
共模电感(1)
贴片磁珠(106)
色环电感(9)
工字电感(22)
通用二极管(29)
稳压二极管(84)
直插TVS管(5)
肖特基二极管(42)
整流桥(3)
发光二极管(16)
防静电管(9)
快恢复二极管(20)
半导体放电管(5)
开关二极管(32)
贴片TVS管(44)
三极管(128)
MOSFET(90)
线性稳压器(24)
运算放大器(3)
音频功率放大器(2)
电源芯片(4)
电位器(3)
比较器(2)
温度传感器(1)
三端稳压管(1)
发射管(1)
LED显示驱动(1)
电压基准芯片(1)
其他(21)
石英晶体谐振器(17)
