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MOSFET

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商品目录

电容器(526): 陶瓷电容(356); 贴片铝电解电容(25); 钽电容(4); 直插铝电解电容(67); 圆片瓷介电容(59); 独石电容(15)

电阻器(1587): 厚膜电阻(1345); 薄膜电阻(155); 合金电阻(10); 金属膜电阻(12); 金属氧化膜电阻(5); 贴片压敏电阻(1); 贴片热敏电阻(2); 贴片自恢复保险丝(8); 直插排阻(4); 直插压敏电阻(32); 直插热敏电阻(12); 直插自恢复保险丝(1)

电感器(323): 叠层电感(107); 绕线电感(30); 功率电感(74); 共模电感(1); 贴片磁珠(83); 色环电感(9); 工字电感(19)

二极管(201): 通用二极管(23); 稳压二极管(62); 直插TVS管(5); 肖特基二极管(27); 整流桥(3); 发光二极管(12); 防静电管(6); 快恢复二极管(14); 半导体放电管(1); 开关二极管(16); 贴片TVS管(32)

晶体管(130): 三极管(93); MOSFET(37)

集成电路(36): 线性稳压器(11); 运算放大器(2); 音频功率放大器(1); 电源芯片(3); 电位器(2); 比较器(2); 温度传感器(1); 三端稳压管(0); 发射管(1); LED显示驱动(1); 电压基准芯片(0); 其他(12)

频率元件(13): 石英晶体谐振器(13)

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商品图片	商品名称	型号规格	含增值税	购买
自营对比收藏	NCE80H12D N沟道 TO-263 80V 2021批次 MOSFET pdf规格书	商品编号：NS01000245392104 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-263 型号：NCE80H12D 规格描述：标准:工业级分类:MOSFET 类型:N沟道核心参数:NCE80H12D N管 80V 120A TO-263 规格尺寸:TO-263 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):120A 安装方式:SMD/贴片等级:I级批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE80H12D,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE80H12D，TO-263封装，漏源电压(Vdss):80V，连续漏极电流(Id):120A ，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。	1000+ ￥1.15元查看更多 ∨	1盘有1000个库存：18盘多立即购买添加购物车商品名称：NCE80H12D N沟道 TO-263 80V 2021批次 MOSFET 型号：NCE80H12D 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-263 现货库存：18盘多含增值税 1000+ ￥1.15元现货： × ￥1.15元 = ￥1150.00元加入购物车
自营对比收藏	NCE65T360F N沟道 TO-220F 32.6W 650V 2019批次 MOSFET pdf规格书	商品编号：NS05000237842203 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220F 型号：NCE65T360F 规格描述：标准:工业级分类:MOSFET 类型:N沟道核心参数:NCE65T360F N管 650V 11.5A TO-220F 规格尺寸:TO-220F 功率(Pd):32.6W 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 安装方式:SMD/贴片等级:I级批次:2019 品牌:新洁能/NCE NCE65T360F,MOSFET尾料，2019批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE65T360F，TO-220F封装，漏源电压(Vdss):650V，连续漏极电流(Id):11.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,7A，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA ，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。	50+ ￥1.09元查看更多 ∨	1盘有50个库存：5盘多立即购买添加购物车商品名称：NCE65T360F N沟道 TO-220F 32.6W 650V 2019批次 MOSFET 型号：NCE65T360F 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220F 现货库存：5盘多含增值税 50+ ￥1.09元现货： × ￥1.09元 = ￥54.50元加入购物车
自营对比收藏	NCE2333Y P沟道 SOT-23 1.8W 12V 2022批次 MOSFET pdf规格书	商品编号：NS05000265642203 品牌：新洁能/NCE 封装规格：SOT-23 型号：NCE2333Y 规格描述：标准:工业级分类:MOSFET 类型:P沟道核心参数:NCE2333Y P管 12V 6A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.8W 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 安装方式:SMD/贴片等级:I级批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE2333Y,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE2333Y，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):12V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,6A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。	3000+ ￥0.085元查看更多 ∨	1盘有3000个库存：14盘多立即购买添加购物车商品名称：NCE2333Y P沟道 SOT-23 1.8W 12V 2022批次 MOSFET 型号：NCE2333Y 品牌：新洁能/NCE 封装规格：SOT-23 现货库存：14盘多含增值税 3000+ ￥0.085元现货： × ￥0.085元 = ￥255.00元加入购物车
自营对比收藏	NCE2007N 2个N沟道 SOT-23 1.5W 20V 2021批次 MOSFET pdf规格书	商品编号：NS01000265062105 品牌：新洁能/NCE 封装规格：SOT-23 型号：NCE2007N 规格描述：标准:工业级分类:MOSFET 类型:2个N沟道核心参数:NCE2007N N管 20V 6.5A SOT-23 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.5W 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片等级:I级批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE2007N,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCE2个N沟道NCE2007N，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):6.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。	3000+ ￥0.1025元查看更多 ∨	1盘有3000个库存：2盘多立即购买添加购物车商品名称：NCE2007N 2个N沟道 SOT-23 1.5W 20V 2021批次 MOSFET 型号：NCE2007N 品牌：新洁能/NCE 封装规格：SOT-23 现货库存：2盘多含增值税 3000+ ￥0.1025元现货： × ￥0.1025元 = ￥307.50元加入购物车
自营对比收藏	NCE9435A P沟道 SOP-8 2021批次 MOSFET	商品编号：NS05000259892202 品牌：新洁能/NCE 封装规格：SOP-8 型号：NCE9435A 规格描述：标准:工业级分类:MOSFET 类型:P沟道核心参数:NCE9435A P管 30V 5.3A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 安装方式:SMD/贴片等级:I级批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE9435A,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE9435A，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。	4000+ ￥0.155元查看更多 ∨	1盘有4000个库存：2盘多立即购买添加购物车商品名称：NCE9435A P沟道 SOP-8 2021批次 MOSFET 型号：NCE9435A 品牌：新洁能/NCE 封装规格：SOP-8 现货库存：2盘多含增值税 4000+ ￥0.155元现货： × ￥0.155元 = ￥620.00元加入购物车
自营对比收藏	NCE30PD08S P沟道 SOP-8 2022批次 MOSFET	商品编号：NS05000253772202 品牌：新洁能/NCE 封装规格：SOP-8 型号：NCE30PD08S 规格描述：标准:工业级分类:MOSFET 类型:P沟道核心参数:NCE30PD08S P管 30V 8A SOP-8 规格尺寸:SOP-8 安装方式:SMD/贴片等级:I级批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE30PD08S,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE30PD08S，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。	4000+ ￥0.4475元查看更多 ∨	1盘有4000个库存：4000个立即购买添加购物车商品名称：NCE30PD08S P沟道 SOP-8 2022批次 MOSFET 型号：NCE30PD08S 品牌：新洁能/NCE 封装规格：SOP-8 现货库存：4000个含增值税 4000+ ￥0.4475元现货： × ￥0.4475元 = ￥1790.00元加入购物车
自营对比收藏	NCE0106Z N沟道 TO-92 3W 100V 2021批次 MOSFET pdf规格书	商品编号：NS05000246472101 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-92 型号：NCE0106Z 规格描述：标准:工业级分类:MOSFET 类型:N沟道核心参数:NCE0106Z N管 100V 6A TO-92 规格尺寸:TO-92 功率(Pd):3W 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V 安装方式:SMD/贴片等级:I级批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE0106Z,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE0106Z，TO-92封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V ，输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V ，反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V，工厂呆滞料，价格特惠。	1000+ ￥0.081元查看更多 ∨	1盘有1000个库存：12盘多立即购买添加购物车商品名称：NCE0106Z N沟道 TO-92 3W 100V 2021批次 MOSFET 型号：NCE0106Z 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-92 现货库存：12盘多含增值税 1000+ ￥0.081元现货： × ￥0.081元 = ￥81.00元加入购物车

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