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NCE6075K N沟道 TO-252 110W 60V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE6075K N沟道 TO-252 110W 60V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000252262102 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE6075K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6075K N管 60V 75A TO-252-2 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):110W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):75A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE6075K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6075K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):75A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,30A，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE6050KA N沟道 TO-252 85W 60V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE6050KA N沟道 TO-252 85W 60V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000241502109 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE6050KA 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6050KA N管 60V 50A TO-252-2L 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):85W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE6050KA,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6050KA，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):50A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE6050KA N沟道 TO-252 85W 60V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE6050KA N沟道 TO-252 85W 60V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000241502108 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE6050KA 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6050KA N管 60V 50A TO-252-2L 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):85W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE6050KA,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6050KA，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):50A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE6050KA N沟道 TO-252 85W 60V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE6050KA N沟道 TO-252 85W 60V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000241502107 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE6050KA 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6050KA N管 60V 50A TO-252-2L 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):85W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE6050KA,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6050KA，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):50A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE40P40K P沟道 TO-252 80W 40V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE40P40K P沟道 TO-252 80W 40V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000241112212 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE40P40K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:NCE40P40K P管 40V 40A TO-252-2L 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):80W 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE40P40K,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE40P40K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):40V，连续漏极电流(Id):40A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,12A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE4080K N沟道 TO-252 80W 40V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE4080K N沟道 TO-252 80W 40V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000245732106 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE4080K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE4080K N管 40V 80A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):80W 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE4080K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE4080K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):40V，连续漏极电流(Id):80A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE4060K N沟道 TO-252 65W 40V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE4060K N沟道 TO-252 65W 40V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000256222110 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE4060K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE4060K N管 40V 60A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):65W 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE4060K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE4060K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):40V，连续漏极电流(Id):60A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE30H15K N沟道 TO-252 130W 30V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE30H15K N沟道 TO-252 130W 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000300212106 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE30H15K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE30H15K N管 30V 150A TO-252-2L 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):130W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE30H15K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE30H15K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):150A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE30H10K N沟道 TO-252 110W 30V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE30H10K N沟道 TO-252 110W 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000253312108 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE30H10K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE30H10K N管 30V 100A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):110W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE30H10K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE30H10K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):100A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE3080KA N沟道 TO-252 83W 30V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE3080KA N沟道 TO-252 83W 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000267352108 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE3080KA 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE3080KA N管 30V 80A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):83W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE3080KA,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3080KA，TO-252封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):80A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,30A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE3080K N沟道 TO-252 83W 30V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE3080K N沟道 TO-252 83W 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000255992110 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE3080K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE3080K N管 30V 80A TO-252 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):83W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE3080K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE3080K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):80A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,30A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP01T30T N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCEP01T30T N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 商品编号：NS01000327392203 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP01T30T 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:N管 100V 300A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP01T30T,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP01T30T，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP039N10M N沟道 TO-220 100V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCEP039N10M N沟道 TO-220 100V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000243272203 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220 型号：NCEP039N10M 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP039N10M N管100V 135A TO-220 规格尺寸:TO-220 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):135A 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP039N10M,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP039N10M，TO-220封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):135A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000276192209 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE40H21 N沟道 TO-220 310W 40V 2021批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE40H21 N沟道 TO-220 310W 40V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000247072103 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220 型号：NCE40H21 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE40H21 N管 40V 210A TO-220 规格尺寸:TO-220 功率(Pd):310W 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):210A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):239nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):10.331nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):1.045nF@25V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE40H21,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE40H21，TO-220封装，漏源电压(Vdss):40V，连续漏极电流(Id):210A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):239nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):10.331nF@25V，反向传输电容(Crss@Vds):1.045nF@25V，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE0103M N沟道 SOT-89 1.5W 100V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 NCE0103M N沟道 SOT-89 1.5W 100V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000255332202 品牌：新洁能/NCE 封装规格：SOT-89 型号：NCE0103M 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE0103M N管 100V 3A SOT-89 规格尺寸:SOT-89 功率(Pd):1.5W 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE0103M,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE0103M，SOT-89封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):3A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,3A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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