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NCEP40T11G N沟道 DFN5X6-8L 75W 40V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP40T11G N沟道 DFN5X6-8L 75W 40V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000301202207 品牌：新洁能/NCE 封装规格：DFN5X6-8L 型号：NCEP40T11G 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP40T11G N管 40V 110A DFN5X6-8L 规格尺寸:DFN5X6-8L 功率(Pd):75W 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):110A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,55A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP40T11G,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP40T11G，DFN5X6-8L封装，漏源电压(Vdss):40V，连续漏极电流(Id):110A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,55A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE0224D N沟道 TO-263 150W 200V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE0224D N沟道 TO-263 150W 200V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000332202208 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-263 型号：NCE0224D 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:N管 200V 24A TO-263-2L 规格尺寸:TO-263 功率(Pd):150W 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):24A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):75pF@25V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE0224D,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE0224D，TO-263封装，漏源电压(Vdss):200V，连续漏极电流(Id):24A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):64mΩ@10V,15A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):4.2nF@25V，反向传输电容(Crss@Vds):75pF@25V，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP070N12D N沟道 TO-263 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP070N12D N沟道 TO-263 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000247892108 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-263 型号：NCEP070N12D 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP070N12D N管 120V 100A TO-263 规格尺寸:TO-263 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCEP070N12D,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP070N12D，TO-263封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP0178AK N沟道 TO-252 125W 100V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP0178AK N沟道 TO-252 125W 100V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000253262204 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCEP0178AK 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP0178AK N管 100V 78A TO-252-2 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):125W 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):78A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,39A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP0178AK,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP0178AK，TO-252封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):78A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,39A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE8295AK N沟道 TO-252 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE8295AK N沟道 TO-252 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000293472208 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE8295AK 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE8295AK N管 82V 95A TO-252 规格尺寸:TO-252 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE8295AK,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE8295AK，TO-252封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE6075K N沟道 TO-252 110W 60V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE6075K N沟道 TO-252 110W 60V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000252262104 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-252 型号：NCE6075K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6075K N管 60V 75A TO-252-2 规格尺寸:TO-252 功率(Pd):110W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):75A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE6075K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6075K，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):75A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,30A，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000276192208 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000276192207 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000276192205 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP039N10M N沟道 TO-220 100V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP039N10M N沟道 TO-220 100V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000243272202 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220 型号：NCEP039N10M 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP039N10M N管100V 135A TO-220 规格尺寸:TO-220 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):135A 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP039N10M,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP039N10M，TO-220封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):135A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000276192210 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCEP02T10T/XJN N沟道 TO-247 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000276192212 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-247 型号：NCEP02T10T/XJN 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCEP02T10T N管 200V 100A TO-247 规格尺寸:TO-247 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCEP02T10T/XJN,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCEP02T10T/XJN，TO-247封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE70T360F N沟道 TO-220F 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE70T360F N沟道 TO-220F 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000254342108 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220F 型号：NCE70T360F 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE70T360F N管 700V 11.5ATO-220F 规格尺寸:TO-220F 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE70T360F,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE70T360F，TO-220F封装，漏源电压(Vdss):，连续漏极电流(Id):，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE65TF099 N沟道 TO-220 322W 650V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE65TF099 N沟道 TO-220 322W 650V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000306502208 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220 型号：NCE65TF099 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:TO-220-NCE65TF099 规格尺寸:TO-220 功率(Pd):322W 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):38A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):89mΩ@10V,19A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@50V 反向传输电容(Crss@Vds):1.5pF@50V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE65TF099,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE65TF099，TO-220封装，漏源电压(Vdss):650V，连续漏极电流(Id):38A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):89mΩ@10V,19A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@50V，反向传输电容(Crss@Vds):1.5pF@50V，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE6080A N沟道 TO-220 110W 60V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE6080A N沟道 TO-220 110W 60V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000273162203 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220 型号：NCE6080A 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE6080A N管 60V 80A TO-220 规格尺寸:TO-220 功率(Pd):110W 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:新洁能/NCE NCE6080A,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE6080A，TO-220封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):80A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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NCE40H21 N沟道 TO-220 310W 40V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 NCE40H21 N沟道 TO-220 310W 40V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000247072112 品牌：新洁能/NCE 封装规格：TO-220 型号：NCE40H21 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:NCE40H21 N管 40V 210A TO-220 规格尺寸:TO-220 功率(Pd):310W 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):210A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):239nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):10.331nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):1.045nF@25V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:新洁能/NCE NCE40H21,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。新洁能/NCEN沟道NCE40H21，TO-220封装，漏源电压(Vdss):40V，连续漏极电流(Id):210A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):239nC@10V，输入电容(Ciss@Vds):10.331nF@25V，反向传输电容(Crss@Vds):1.045nF@25V，工厂呆滞料，价格特惠。
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