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CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000234542110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-523 型号：CJE3134K 34K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-523-CJE3134K/34K/SOT-523 规格尺寸:SOT-523 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):120pF 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJE3134K 34K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJE3134K 34K，SOT-523封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):750mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):120pF，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000234542111 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-523 型号：CJE3134K 34K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-523-CJE3134K/34K/SOT-523 规格尺寸:SOT-523 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):120pF 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJE3134K 34K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJE3134K 34K，SOT-523封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):750mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):120pF，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2020批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2020批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000161462001 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-363 型号：CJ3139KDW 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-363-CJ3139KDW 规格尺寸:SOT-363 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):1.1V 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2020 品牌:长晶/CJ CJ3139KDW,MOSFET尾料，2020批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ3139KDW，SOT-363封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):1.1V，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000161462206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-363 型号：CJ3139KDW 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-363-CJ3139KDW 规格尺寸:SOT-363 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):1.1V 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ3139KDW,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ3139KDW，SOT-363封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):1.1V，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3402 N沟道 SOT-23 350mW 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3402 N沟道 SOT-23 350mW 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000107682110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ3402 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ3402 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):350mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V 栅极电荷(Qg@Vgs):4.34nC 输入电容(Ciss@Vds):390pF 反向传输电容(Crss@Vds):41pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJ3402,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ3402，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):4A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V，栅极电荷(Qg@Vgs):4.34nC，输入电容(Ciss@Vds):390pF，反向传输电容(Crss@Vds):41pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2333 P沟道 SOT-23 1.1W 12V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2333 P沟道 SOT-23 1.1W 12V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000154142206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2333 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2333 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.1W 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 栅极电荷(Qg@Vgs):14nC 输入电容(Ciss@Vds):1.275nF 反向传输电容(Crss@Vds):236pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2333,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2333，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):12V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1V，栅极电荷(Qg@Vgs):14nC，输入电容(Ciss@Vds):1.275nF，反向传输电容(Crss@Vds):236pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2324 N沟道 SOT-23 100V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2324 N沟道 SOT-23 100V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000136852211 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2324 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ2324 规格尺寸:SOT-23 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V 栅极电荷(Qg@Vgs):5.8nC 输入电容(Ciss@Vds):190pF 反向传输电容(Crss@Vds):13pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2324,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ2324，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):2A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V，栅极电荷(Qg@Vgs):5.8nC，输入电容(Ciss@Vds):190pF，反向传输电容(Crss@Vds):13pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2321 P沟道 SOT-23 350mW 20V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2321 P沟道 SOT-23 350mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000189912203 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2321 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2321 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):350mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):57mΩ@10V,3.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV 栅极电荷(Qg@Vgs):13nC 输入电容(Ciss@Vds):715pF 反向传输电容(Crss@Vds):120pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2321,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2321，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):2.9A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):57mΩ@10V,3.3A，阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV，栅极电荷(Qg@Vgs):13nC，输入电容(Ciss@Vds):715pF，反向传输电容(Crss@Vds):120pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2307 P沟道 SOT-23 1.1W 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2307 P沟道 SOT-23 1.1W 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000097932110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2307 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2307 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.1W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V 栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC 输入电容(Ciss@Vds):340pF 反向传输电容(Crss@Vds):51pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJ2307,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2307，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):2.7A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V，栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC，输入电容(Ciss@Vds):340pF，反向传输电容(Crss@Vds):51pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000087972205 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2306 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ2306 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):750mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.16A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2306,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ2306，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):3.16A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000087972206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2306 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ2306 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):750mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.16A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2306,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ2306，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):3.16A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2305 S5 P沟道 SOT-23 350mW 12V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2305 S5 P沟道 SOT-23 350mW 12V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000089682201 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2305 S5 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2305 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):350mW 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2305 S5,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2305 S5，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):12V，连续漏极电流(Id):4.1A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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BSS138 N沟道 SOT-23 360mW 50V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 BSS138 N沟道 SOT-23 360mW 50V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000086262110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：BSS138 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-BSS138 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):360mW 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):220mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V 输入电容(Ciss@Vds):27pF 反向传输电容(Crss@Vds):6pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ BSS138,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道BSS138，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):50V，连续漏极电流(Id):220mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):27pF，反向传输电容(Crss@Vds):6pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3404 N沟道 SOT-23 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3404 N沟道 SOT-23 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000110742106 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ3404 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-3404 规格尺寸:SOT-23 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V 输入电容(Ciss@Vds):820pF 反向传输电容(Crss@Vds):85pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJ3404,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ3404，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):5.8A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):820pF，反向传输电容(Crss@Vds):85pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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S9018 SOT-23 NPN 50mA 15V 2022批次 三极管 自营 对比 收藏 S9018 SOT-23 NPN 50mA 15V 2022批次 三极管 pdf规格书 商品编号：NS01000037122211 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：S9018 规格描述： 标准:工业级 分类:三极管 核心参数:SOT-23-S9018(J8) 规格尺寸:SOT-23 极性:NPN 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):15V 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V 特征频率(fT):800MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ S9018三极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJS9018，SOT-23封装，极性:NPN，集电极电流(Ic):50mA，集射极击穿电压(Vceo):15V，功率(Pd):200mW，集电极截止电流(Icbo):50nA，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@10mA,1mA，直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V，特征频率(fT):800MHz，工厂呆滞料，价格特惠。
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S9018 TO-92 NPN 50mA 18V 2021批次 三极管 自营 对比 收藏 S9018 TO-92 NPN 50mA 18V 2021批次 三极管 pdf规格书 商品编号：NS01000077372101 品牌：长晶/CJ 封装规格：TO-92 型号：S9018 规格描述： 标准:工业级 分类:三极管 核心参数:TO-92-S9018 规格尺寸:TO-92 极性:NPN 集电极电流(Ic):50mA 集射极击穿电压(Vceo):18V 功率(Pd):400mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):97@1mA,5V 特征频率(fT):800MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ S9018 三极管尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJS9018 ，TO-92封装，极性:NPN，集电极电流(Ic):50mA，集射极击穿电压(Vceo):18V，功率(Pd):400mW，集电极截止电流(Icbo):100nA，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@10mA,1mA，直流电流增益(hFE@Ic,Vce):97@1mA,5V，特征频率(fT):800MHz，工厂呆滞料，价格特惠。
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