您好，欢迎来到尾料优选
HC-49S SS8050 CC0402KRX7R9BB104 RC0402JR-071KL

全部分类

当前位置：首页> 所有品牌> 长晶/CJ>

商品筛选

(合计23件商品)
分类：MOSFETX
重置筛选项>

商品目录

电容器(690)
陶瓷电容(474)
贴片铝电解电容(34)
钽电容(9)
直插铝电解电容(77)
圆片瓷介电容(75)
独石电容(21)
电阻器(1911)
厚膜电阻(1602)
薄膜电阻(192)
合金电阻(13)
金属膜电阻(17)
金属氧化膜电阻(5)
贴片压敏电阻(3)
贴片热敏电阻(3)
贴片自恢复保险丝(10)
直插排阻(11)
直插压敏电阻(38)
直插热敏电阻(16)
直插自恢复保险丝(1)
电感器(396)
叠层电感(127)
绕线电感(36)
功率电感(95)
共模电感(1)
贴片磁珠(106)
色环电感(9)
工字电感(22)
二极管(289)
通用二极管(29)
稳压二极管(84)
直插TVS管(5)
肖特基二极管(42)
整流桥(3)
发光二极管(16)
防静电管(9)
快恢复二极管(20)
半导体放电管(5)
开关二极管(32)
贴片TVS管(44)
晶体管(218)
三极管(128)
MOSFET(90)
集成电路(64)
线性稳压器(24)
运算放大器(3)
音频功率放大器(2)
电源芯片(4)
电位器(3)
比较器(2)
温度传感器(1)
三端稳压管(1)
发射管(1)
LED显示驱动(1)
电压基准芯片(1)
其他(21)
频率元件(17)
石英晶体谐振器(17)
  • 有现货产品，最快4小时发货。
  • 部份品牌，目前线上只提供样品，批量需线下处理。
  • 无现货部分，可订货处理，或联系客服。
1/2
商品图片 商品名称 型号规格 含增值税 购买
CJU12P06 P沟道 TO-252 60V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJU12P06 P沟道 TO-252 60V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000270972206 品牌：长晶/CJ 封装规格：TO-252 型号：CJU12P06 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:TO-252-2L-CJU12P06 规格尺寸:TO-252 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V 栅极电荷(Qg@Vgs):18nC 输入电容(Ciss@Vds):900pF 反向传输电容(Crss@Vds):40pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJU12P06,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJU12P06，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):12A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V，栅极电荷(Qg@Vgs):18nC，输入电容(Ciss@Vds):900pF，反向传输电容(Crss@Vds):40pF，工厂呆滞料，价格特惠。
2500+
￥0.477元
查看更多 ∨ 		1盘有2500个 库存：12盘多
立即购买
CJU12P06 P沟道 TO-252 60V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJU12P06 P沟道 TO-252 60V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000270972207 品牌：长晶/CJ 封装规格：TO-252 型号：CJU12P06 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:TO-252-2L-CJU12P06 规格尺寸:TO-252 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V 栅极电荷(Qg@Vgs):18nC 输入电容(Ciss@Vds):900pF 反向传输电容(Crss@Vds):40pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJU12P06,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJU12P06，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):12A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V，栅极电荷(Qg@Vgs):18nC，输入电容(Ciss@Vds):900pF，反向传输电容(Crss@Vds):40pF，工厂呆滞料，价格特惠。
2500+
￥0.477元
查看更多 ∨ 		1盘有2500个 库存：2盘多
立即购买
CJP10N65 N沟道 TO-220 650V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJP10N65 N沟道 TO-220 650V 2022批次 MOSFET 商品编号：NS01000166112203 品牌：长晶/CJ 封装规格：TO-220 型号：CJP10N65 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:TO-220-CJP10N65 规格尺寸:TO-220 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):700mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V 栅极电荷(Qg@Vgs):44nC 输入电容(Ciss@Vds):1.43nF 反向传输电容(Crss@Vds):2.2pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJP10N65,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJP10N65，TO-220封装，漏源电压(Vdss):650V，连续漏极电流(Id):10A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):700mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V，栅极电荷(Qg@Vgs):44nC，输入电容(Ciss@Vds):1.43nF，反向传输电容(Crss@Vds):2.2pF，工厂呆滞料，价格特惠。
50+
￥1.3068元
查看更多 ∨ 		1盘有50个 库存：29盘多
立即购买
CJ3139K P沟道 SOT-723 150mW 20V 2020批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3139K P沟道 SOT-723 150mW 20V 2020批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000123602007 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-723 型号：CJ3139K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-723-CJ3139K 规格尺寸:SOT-723 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2020 品牌:长晶/CJ CJ3139K,MOSFET尾料，2020批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ3139K，SOT-723封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
8000+
￥0.08元
查看更多 ∨ 		1盘有8000个 库存：8000个
立即购买
CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000234542110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-523 型号：CJE3134K 34K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-523-CJE3134K/34K/SOT-523 规格尺寸:SOT-523 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):120pF 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJE3134K 34K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJE3134K 34K，SOT-523封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):750mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):120pF，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.088元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：59盘多
立即购买
CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000234542111 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-523 型号：CJE3134K 34K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-523-CJE3134K/34K/SOT-523 规格尺寸:SOT-523 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):120pF 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJE3134K 34K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJE3134K 34K，SOT-523封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):750mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):120pF，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.0792元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：2盘多
立即购买
CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2020批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2020批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000161462001 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-363 型号：CJ3139KDW 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-363-CJ3139KDW 规格尺寸:SOT-363 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):1.1V 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2020 品牌:长晶/CJ CJ3139KDW,MOSFET尾料，2020批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ3139KDW，SOT-363封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):1.1V，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.18元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：2盘多
立即购买
CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000161462206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-363 型号：CJ3139KDW 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-363-CJ3139KDW 规格尺寸:SOT-363 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):1.1V 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ3139KDW,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ3139KDW，SOT-363封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):1.1V，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.162元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：3000个
立即购买
CJ3402 N沟道 SOT-23 350mW 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3402 N沟道 SOT-23 350mW 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000107682110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ3402 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ3402 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):350mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V 栅极电荷(Qg@Vgs):4.34nC 输入电容(Ciss@Vds):390pF 反向传输电容(Crss@Vds):41pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJ3402,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ3402，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):4A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V，栅极电荷(Qg@Vgs):4.34nC，输入电容(Ciss@Vds):390pF，反向传输电容(Crss@Vds):41pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.132元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：31盘多
立即购买
CJ2333 P沟道 SOT-23 1.1W 12V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2333 P沟道 SOT-23 1.1W 12V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000154142206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2333 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2333 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.1W 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 栅极电荷(Qg@Vgs):14nC 输入电容(Ciss@Vds):1.275nF 反向传输电容(Crss@Vds):236pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2333,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2333，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):12V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1V，栅极电荷(Qg@Vgs):14nC，输入电容(Ciss@Vds):1.275nF，反向传输电容(Crss@Vds):236pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.1575元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：8盘多
立即购买
CJ2324 N沟道 SOT-23 100V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2324 N沟道 SOT-23 100V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000136852211 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2324 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ2324 规格尺寸:SOT-23 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V 栅极电荷(Qg@Vgs):5.8nC 输入电容(Ciss@Vds):190pF 反向传输电容(Crss@Vds):13pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2324,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ2324，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):2A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V，栅极电荷(Qg@Vgs):5.8nC，输入电容(Ciss@Vds):190pF，反向传输电容(Crss@Vds):13pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.145元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：2盘多
立即购买
CJ2321 P沟道 SOT-23 350mW 20V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2321 P沟道 SOT-23 350mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000189912203 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2321 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2321 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):350mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):57mΩ@10V,3.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV 栅极电荷(Qg@Vgs):13nC 输入电容(Ciss@Vds):715pF 反向传输电容(Crss@Vds):120pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2321,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2321，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):2.9A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):57mΩ@10V,3.3A，阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV，栅极电荷(Qg@Vgs):13nC，输入电容(Ciss@Vds):715pF，反向传输电容(Crss@Vds):120pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.1215元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：8盘多
立即购买
CJ2307 P沟道 SOT-23 1.1W 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2307 P沟道 SOT-23 1.1W 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000097932110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2307 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2307 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.1W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V 栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC 输入电容(Ciss@Vds):340pF 反向传输电容(Crss@Vds):51pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJ2307,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2307，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):2.7A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V，栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC，输入电容(Ciss@Vds):340pF，反向传输电容(Crss@Vds):51pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.142元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：21盘多
立即购买
CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000087972205 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2306 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ2306 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):750mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.16A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2306,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ2306，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):3.16A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.0945元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：2盘多
立即购买
CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000087972206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2306 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ2306 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):750mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.16A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2306,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ2306，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):3.16A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.0945元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：41盘多
立即购买
CJ2305 S5 P沟道 SOT-23 350mW 12V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2305 S5 P沟道 SOT-23 350mW 12V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000089682201 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2305 S5 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2305 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):350mW 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2305 S5,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2305 S5，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):12V，连续漏极电流(Id):4.1A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.1125元
查看更多 ∨ 		1盘有3000个 库存：2盘多
立即购买
对比
清空对比栏
授权品牌 正品保障
极速物流 在线跟踪
专属客服 省时省心
海量库存 无忧畅选
购物指南
用户协议
客户须知
交易须知
常见问题
支付与配送
支付方式
快递运输
售后服务
发票须知
退货换货
服务投诉
特别说明
网站法律声明
隐私保护政策
关于我们
关于我们
联系我们
400-888-5058
（工作时间：周一至周五 9:00~17:30）
在线客服

 关注捷亿星 

Copyright © 2012-2024 尾料优选 版权所有 备案号:粤ICP备2023034797号-1 苏公网安备32010402000039号