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DSR1M SOD-123FL SOD-123FL 1KV 1A 1V@1A 2022批次 通用二极管 自营 对比 收藏 DSR1M SOD-123FL SOD-123FL 1KV 1A 1V@1A 2022批次 通用二极管 pdf规格书 商品编号：NS01000276312203 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOD-123FL 型号：DSR1M SOD-123FL 规格描述： 标准:工业级 分类:通用二极管 核心参数:SOD-123FL-DSR1M 规格尺寸:SOD-123FL 直流反向耐压(Vr):1KV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A 反向电流(Ir):5uV@1000V 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ DSR1M SOD-123FL通用二极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJDSR1M SOD-123FL，SOD-123FL封装，直流反向耐压(Vr):1KV，平均整流电流(Io):1A，正向压降(Vf):1V@1A，反向电流(Ir):5uV@1000V，反向恢复时间(trr):，工厂呆滞料，价格特惠。
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S3M SMBG 2022批次 通用二极管 自营 对比 收藏 S3M SMBG 2022批次 通用二极管 pdf规格书 商品编号：NS01000290562204 品牌：长晶/CJ 封装规格：SMBG 型号：S3M 规格描述： 标准:工业级 分类:通用二极管 核心参数:SMBG-S3M 规格尺寸:SMBG 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ S3M通用二极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJS3M，SMBG封装，直流反向耐压(Vr):，平均整流电流(Io):，正向压降(Vf):，反向电流(Ir):，反向恢复时间(trr):，工厂呆滞料，价格特惠。
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RS3M SMBG 1kV 3A 1.3V@3A 2022批次 快恢复二极管 自营 对比 收藏 RS3M SMBG 1kV 3A 1.3V@3A 2022批次 快恢复二极管 pdf规格书 商品编号：NS01000288102205 品牌：长晶/CJ 封装规格：SMBG 型号：RS3M 规格描述： 标准:工业级 分类:快恢复二极管 核心参数:SMBG-RS3M 规格尺寸:SMBG 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V@3A 反向电流(Ir):10uA@1kV 反向恢复时间(trr):500ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ RS3M快恢复二极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJRS3M，SMBG封装，直流反向耐压(Vr):1kV，平均整流电流(Io):3A，正向压降(Vf):1.3V@3A，反向电流(Ir):10uA@1kV，反向恢复时间(trr):500ns，工厂呆滞料，价格特惠。
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RS3M SMBG-RS3M 2022批次 快恢复二极管 自营 对比 收藏 RS3M SMBG-RS3M 2022批次 快恢复二极管 pdf规格书 商品编号：NS01000288102206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SMBG 型号：RS3M 规格描述： 标准:工业级 分类:快恢复二极管 核心参数:SMBG-RS3M 规格尺寸:SMBG 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V@3A 反向电流(Ir):10uA@1kV 反向恢复时间(trr):500ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj) 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ RS3M快恢复二极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJRS3M，SMBG封装，直流反向耐压(Vr):1kV，平均整流电流(Io):3A，正向压降(Vf):1.3V@3A，反向电流(Ir):10uA@1kV，反向恢复时间(trr):500ns，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ79L05-TA 长晶/CJ 2021批次 线性稳压器 代售 对比 收藏 CJ79L05-TA 长晶/CJ 2021批次 线性稳压器 pdf规格书 商品编号：NS01000275892112 品牌：长晶/CJ 封装规格： 型号：CJ79L05-TA 规格描述： 标准:工业级 分类:线性稳压器 核心参数:TO-92-79L05-TA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJ79L05-TA集成电路尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJ线性稳压器CJ79L05-TA，输出类型，输入电压:，输出电压:，输出电流:，压差:，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3134K KF N沟道 SOT-723 150mW 20V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 CJ3134K KF N沟道 SOT-723 150mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000135172212 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-723 型号：CJ3134K KF 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-723-CJ3134K 规格尺寸:SOT-723 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ3134K KF,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ3134K KF，SOT-723封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):750mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJE3139K 39K P沟道 SOT-523 150mW 20V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 CJE3139K 39K P沟道 SOT-523 150mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000227332202 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-523 型号：CJE3139K 39K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-523-CJE3139K 39K（CJ SOT-523) 规格尺寸:SOT-523 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):113pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJE3139K 39K,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJE3139K 39K，SOT-523封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):113pF，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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2SK3018 N沟道 SOT-323 200mW 30V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 2SK3018 N沟道 SOT-323 200mW 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000254472211 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-323 型号：2SK3018 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-323-2SK3018 规格尺寸:SOT-323 功率(Pd):200mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V 输入电容(Ciss@Vds):13pF 反向传输电容(Crss@Vds):4pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ 2SK3018,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道2SK3018，SOT-323封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):100mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):13pF，反向传输电容(Crss@Vds):4pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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BSS138 N沟道 SOT-23 360mW 50V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 BSS138 N沟道 SOT-23 360mW 50V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000086262206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：BSS138 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-BSS138 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):360mW 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):220mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V 输入电容(Ciss@Vds):27pF 反向传输电容(Crss@Vds):6pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ BSS138,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道BSS138，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):50V，连续漏极电流(Id):220mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):27pF，反向传输电容(Crss@Vds):6pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJQ4407S P沟道 SOP-8 1.4W 30V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 CJQ4407S P沟道 SOP-8 1.4W 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000320052210 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOP-8 型号：CJQ4407S 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOP-8 规格尺寸:SOP-8 功率(Pd):1.4W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V 栅极电荷(Qg@Vgs):48nC 输入电容(Ciss@Vds):2.885nF 反向传输电容(Crss@Vds):2.885nF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJQ4407S,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJQ4407S，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):11A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V，栅极电荷(Qg@Vgs):48nC，输入电容(Ciss@Vds):2.885nF，反向传输电容(Crss@Vds):2.885nF，工厂呆滞料，价格特惠。
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UMD10N SOT-363 2022批次 三极管 代售 对比 收藏 UMD10N SOT-363 2022批次 三极管 pdf规格书 商品编号：NS01000160552212 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-363 型号：UMD10N 规格描述： 标准:工业级 分类:三极管 核心参数:SOT-363-UMD10N 规格尺寸:SOT-363 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ UMD10N三极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJUMD10N，SOT-363封装，极性:，集电极电流(Ic):，集射极击穿电压(Vceo):，功率(Pd):，集电极截止电流(Icbo):，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):，直流电流增益(hFE@Ic,Vce):，特征频率(fT):，工厂呆滞料，价格特惠。
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S9015 M6 SOT-23 PNP 100mA 45V 2022批次 三极管 代售 对比 收藏 S9015 M6 SOT-23 PNP 100mA 45V 2022批次 三极管 pdf规格书 商品编号：NS01000041402212 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：S9015 M6 规格描述： 标准:工业级 分类:三极管 核心参数:SOT-23-S9015(M6/300-400)CJ 规格尺寸:SOT-23 极性:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):45V 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ S9015 M6三极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJS9015 M6，SOT-23封装，极性:PNP，集电极电流(Ic):100mA，集射极击穿电压(Vceo):45V，功率(Pd):200mW，集电极截止电流(Icbo):100nA，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA，直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5V，特征频率(fT):150MHz，工厂呆滞料，价格特惠。
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S9013 TO-92 NPN 500mA 25V 2021批次 三极管 代售 对比 收藏 S9013 TO-92 NPN 500mA 25V 2021批次 三极管 pdf规格书 商品编号：NS01000037352111 品牌：长晶/CJ 封装规格：TO-92 型号：S9013 规格描述： 标准:工业级 分类:三极管 核心参数:TO-92-S9013 规格尺寸:TO-92 极性:NPN 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):625mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):190@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ S9013三极管尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJS9013，TO-92封装，极性:NPN，集电极电流(Ic):500mA，集射极击穿电压(Vceo):25V，功率(Pd):625mW，集电极截止电流(Icbo):100nA，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA，直流电流增益(hFE@Ic,Vce):190@50mA,1V，特征频率(fT):150MHz，工厂呆滞料，价格特惠。
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S9012 TO-92 PNP 500mA 25V 2022批次 三极管 代售 对比 收藏 S9012 TO-92 PNP 500mA 25V 2022批次 三极管 pdf规格书 商品编号：NS01000037342206 品牌：长晶/CJ 封装规格：TO-92 型号：S9012 规格描述： 标准:工业级 分类:三极管 核心参数:TO-92-S9012H (144-202) 规格尺寸:TO-92 极性:PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):625mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ S9012三极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJS9012，TO-92封装，极性:PNP，集电极电流(Ic):500mA，集射极击穿电压(Vceo):25V，功率(Pd):625mW，集电极截止电流(Icbo):100nA，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA，直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V，特征频率(fT):150MHz，工厂呆滞料，价格特惠。
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S9012 SOT-23 PNP 500mA 25V 2022批次 三极管 代售 对比 收藏 S9012 SOT-23 PNP 500mA 25V 2022批次 三极管 pdf规格书 商品编号：NS01000038932211 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：S9012 规格描述： 标准:工业级 分类:三极管 核心参数:SOT-23-S9012(2T1)(200-350) 规格尺寸:SOT-23 极性:PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ S9012三极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJS9012，SOT-23封装，极性:PNP，集电极电流(Ic):500mA，集射极击穿电压(Vceo):25V，功率(Pd):300mW，集电极截止电流(Icbo):100nA，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA，直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V，特征频率(fT):150MHz，工厂呆滞料，价格特惠。
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MMSTA42 K3M SOT-323 NPN 200mA 300V 2022批次 三极管 代售 对比 收藏 MMSTA42 K3M SOT-323 NPN 200mA 300V 2022批次 三极管 pdf规格书 商品编号：NS01000234532203 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-323 型号：MMSTA42 K3M 规格描述： 标准:工业级 分类:三极管 核心参数:SOT-323-MMSTA42 V2(CJ SOT-323) 规格尺寸:SOT-323 极性:NPN 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):300V 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V 特征频率(fT):50MHz 工作温度:+150℃@(Tj) 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ MMSTA42 K3M三极管尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJMMSTA42 K3M，SOT-323封装，极性:NPN，集电极电流(Ic):200mA，集射极击穿电压(Vceo):300V，功率(Pd):200mW，集电极截止电流(Icbo):100nA，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA，直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V，特征频率(fT):50MHz，工厂呆滞料，价格特惠。
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