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CJU12P06 P沟道 TO-252 60V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJU12P06 P沟道 TO-252 60V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000270972206 品牌：长晶/CJ 封装规格：TO-252 型号：CJU12P06 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:TO-252-2L-CJU12P06 规格尺寸:TO-252 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V 栅极电荷(Qg@Vgs):18nC 输入电容(Ciss@Vds):900pF 反向传输电容(Crss@Vds):40pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJU12P06,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJU12P06，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):12A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V，栅极电荷(Qg@Vgs):18nC，输入电容(Ciss@Vds):900pF，反向传输电容(Crss@Vds):40pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJU12P06 P沟道 TO-252 60V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJU12P06 P沟道 TO-252 60V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000270972207 品牌：长晶/CJ 封装规格：TO-252 型号：CJU12P06 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:TO-252-2L-CJU12P06 规格尺寸:TO-252 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):12A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V 栅极电荷(Qg@Vgs):18nC 输入电容(Ciss@Vds):900pF 反向传输电容(Crss@Vds):40pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJU12P06,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJU12P06，TO-252封装，漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):12A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V，栅极电荷(Qg@Vgs):18nC，输入电容(Ciss@Vds):900pF，反向传输电容(Crss@Vds):40pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJP10N65 N沟道 TO-220 650V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJP10N65 N沟道 TO-220 650V 2022批次 MOSFET 商品编号：NS01000166112203 品牌：长晶/CJ 封装规格：TO-220 型号：CJP10N65 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:TO-220-CJP10N65 规格尺寸:TO-220 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):700mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V 栅极电荷(Qg@Vgs):44nC 输入电容(Ciss@Vds):1.43nF 反向传输电容(Crss@Vds):2.2pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJP10N65,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJP10N65，TO-220封装，漏源电压(Vdss):650V，连续漏极电流(Id):10A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):700mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V，栅极电荷(Qg@Vgs):44nC，输入电容(Ciss@Vds):1.43nF，反向传输电容(Crss@Vds):2.2pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3139K P沟道 SOT-723 150mW 20V 2020批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3139K P沟道 SOT-723 150mW 20V 2020批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000123602007 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-723 型号：CJ3139K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-723-CJ3139K 规格尺寸:SOT-723 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2020 品牌:长晶/CJ CJ3139K,MOSFET尾料，2020批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ3139K，SOT-723封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000234542110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-523 型号：CJE3134K 34K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-523-CJE3134K/34K/SOT-523 规格尺寸:SOT-523 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):120pF 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJE3134K 34K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJE3134K 34K，SOT-523封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):750mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):120pF，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJE3134K 34K N沟道 SOT-523 20V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000234542111 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-523 型号：CJE3134K 34K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-523-CJE3134K/34K/SOT-523 规格尺寸:SOT-523 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):120pF 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJE3134K 34K,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJE3134K 34K，SOT-523封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):750mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):120pF，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2020批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2020批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS05000161462001 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-363 型号：CJ3139KDW 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-363-CJ3139KDW 规格尺寸:SOT-363 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):1.1V 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2020 品牌:长晶/CJ CJ3139KDW,MOSFET尾料，2020批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ3139KDW，SOT-363封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):1.1V，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3139KDW P沟道 SOT-363 150mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000161462206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-363 型号：CJ3139KDW 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-363-CJ3139KDW 规格尺寸:SOT-363 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):1.1V 反向传输电容(Crss@Vds):15pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ3139KDW,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ3139KDW，SOT-363封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):1.1V，反向传输电容(Crss@Vds):15pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3402 N沟道 SOT-23 350mW 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3402 N沟道 SOT-23 350mW 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000107682110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ3402 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ3402 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):350mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V 栅极电荷(Qg@Vgs):4.34nC 输入电容(Ciss@Vds):390pF 反向传输电容(Crss@Vds):41pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJ3402,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ3402，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):4A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V，栅极电荷(Qg@Vgs):4.34nC，输入电容(Ciss@Vds):390pF，反向传输电容(Crss@Vds):41pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2333 P沟道 SOT-23 1.1W 12V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2333 P沟道 SOT-23 1.1W 12V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000154142206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2333 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2333 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.1W 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 栅极电荷(Qg@Vgs):14nC 输入电容(Ciss@Vds):1.275nF 反向传输电容(Crss@Vds):236pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2333,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2333，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):12V，连续漏极电流(Id):6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1V，栅极电荷(Qg@Vgs):14nC，输入电容(Ciss@Vds):1.275nF，反向传输电容(Crss@Vds):236pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2324 N沟道 SOT-23 100V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2324 N沟道 SOT-23 100V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000136852211 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2324 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ2324 规格尺寸:SOT-23 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V 栅极电荷(Qg@Vgs):5.8nC 输入电容(Ciss@Vds):190pF 反向传输电容(Crss@Vds):13pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2324,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ2324，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(Id):2A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V，栅极电荷(Qg@Vgs):5.8nC，输入电容(Ciss@Vds):190pF，反向传输电容(Crss@Vds):13pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2321 P沟道 SOT-23 350mW 20V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2321 P沟道 SOT-23 350mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000189912203 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2321 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2321 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):350mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):57mΩ@10V,3.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV 栅极电荷(Qg@Vgs):13nC 输入电容(Ciss@Vds):715pF 反向传输电容(Crss@Vds):120pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2321,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2321，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):2.9A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):57mΩ@10V,3.3A，阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV，栅极电荷(Qg@Vgs):13nC，输入电容(Ciss@Vds):715pF，反向传输电容(Crss@Vds):120pF，工厂呆滞料，价格特惠。
3000+
￥0.135元
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CJ2307 P沟道 SOT-23 1.1W 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2307 P沟道 SOT-23 1.1W 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000097932110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2307 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2307 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):1.1W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V 栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC 输入电容(Ciss@Vds):340pF 反向传输电容(Crss@Vds):51pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJ2307,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2307，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):2.7A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V，栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC，输入电容(Ciss@Vds):340pF，反向传输电容(Crss@Vds):51pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000087972205 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2306 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ2306 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):750mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.16A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2306,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ2306，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):3.16A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2306 N沟道 SOT-23 750mW 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000087972206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2306 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-CJ2306 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):750mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.16A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2306,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ2306，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):3.16A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,3.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ2305 S5 P沟道 SOT-23 350mW 12V 2022批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ2305 S5 P沟道 SOT-23 350mW 12V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000089682201 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ2305 S5 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-23-CJ2305 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):350mW 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ2305 S5,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJ2305 S5，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):12V，连续漏极电流(Id):4.1A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,3.5A，阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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