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- 长晶/CJ
- 厂家型号：CJP10N65
- 检验等级：2级
- 生产批次：202203
- 商品编号：NS01000166112203
- 封装规格：TO-220
- 包装方式：编带
- 商品介绍
- 数据手册PDF
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商品介绍
CJP10N65,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJP10N65，TO-220封装，漏源电压(Vdss):650V，连续漏极电流(Id):10A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):700mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):4V，栅极电荷(Qg@Vgs):44nC，输入电容(Ciss@Vds):1.43nF，反向传输电容(Crss@Vds):2.2pF，工厂呆滞料，价格特惠。
- 标准：工业级
- 分类：MOSFET
- 类型：N沟道
- 核心参数：TO-220-CJP10N65
- 规格尺寸：TO-220
- 漏源电压(Vdss)：650V
- 连续漏极电流(Id)：10A
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：700mΩ@10V
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V
- 栅极电荷(Qg@Vgs)：44nC
- 输入电容(Ciss@Vds)：1.43nF
- 反向传输电容(Crss@Vds)：2.2pF
- 安装方式：SMD/贴片
- 等级：I级
- 批次：2022
- 品牌：长晶/CJ
常见问题
