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NCE30P20Q P沟道 DFN3.3X3.3-8L 35W 30V 2022批次 MOSFET 代售

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新洁能/NCE
  • 厂家型号:NCE30P20Q
  • 检验等级:1级
  • 商品编号:NS01000300042206
  • 封装规格:DFN3.3X3.3-8L
  • 包装方式:编带
  • 数据手册:pdf规格书
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  • 数据手册PDF
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商品介绍

NCE30P20Q,MOSFET尾料,2022批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE30P20Q,DFN3.3X3.3-8L封装,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):20A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,15A,阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):45.6nC@10V,输入电容(Ciss@Vds):2.13nF@25V,反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V,工厂呆滞料,价
  • 标准:工业级
  • 分类:MOSFET
  • 类型:P沟道
  • 核心参数:NCE30P20Q P管 30V 20A DFN3.3X3.3-8L
  • 规格尺寸:DFN3.3X3.3-8L
  • 功率(Pd):35W
  • 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 连续漏极电流(Id):20A
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,15A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs):45.6nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds):2.13nF@25V
  • 反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V
  • 安装方式:SMD/贴片
  • 等级:I级
  • 批次:2022
  • 品牌:新洁能/NCE

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