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- 新洁能/NCE
- 厂家型号:NCE30P20Q
- 检验等级:1级
- 商品编号:NS01000300042206
- 封装规格:DFN3.3X3.3-8L
- 包装方式:编带
- 数据手册:pdf规格书
- 商品介绍
- 数据手册PDF
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商品介绍
NCE30P20Q,MOSFET尾料,2022批次,现货特价,原厂正品,保存完好。新洁能/NCEP沟道NCE30P20Q,DFN3.3X3.3-8L封装,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):20A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,15A,阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA,栅极电荷(Qg@Vgs):45.6nC@10V,输入电容(Ciss@Vds):2.13nF@25V,反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V,工厂呆滞料,价
- 标准:工业级
- 分类:MOSFET
- 类型:P沟道
- 核心参数:NCE30P20Q P管 30V 20A DFN3.3X3.3-8L
- 规格尺寸:DFN3.3X3.3-8L
- 功率(Pd):35W
- 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 连续漏极电流(Id):20A
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,15A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs):45.6nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds):2.13nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V
- 安装方式:SMD/贴片
- 等级:I级
- 批次:2022
- 品牌:新洁能/NCE