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BSS138 N沟道 SOT-23 360mW 50V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 BSS138 N沟道 SOT-23 360mW 50V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000086262110 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：BSS138 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-BSS138 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):360mW 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):220mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V 输入电容(Ciss@Vds):27pF 反向传输电容(Crss@Vds):6pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ BSS138,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道BSS138，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):50V，连续漏极电流(Id):220mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):27pF，反向传输电容(Crss@Vds):6pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3404 N沟道 SOT-23 30V 2021批次 MOSFET 自营 对比 收藏 CJ3404 N沟道 SOT-23 30V 2021批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000110742106 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：CJ3404 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-3404 规格尺寸:SOT-23 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V 输入电容(Ciss@Vds):820pF 反向传输电容(Crss@Vds):85pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2021 品牌:长晶/CJ CJ3404,MOSFET尾料，2021批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ3404，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):5.8A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):3V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):820pF，反向传输电容(Crss@Vds):85pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJ3134K KF N沟道 SOT-723 150mW 20V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 CJ3134K KF N沟道 SOT-723 150mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000135172212 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-723 型号：CJ3134K KF 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-723-CJ3134K 规格尺寸:SOT-723 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):750mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJ3134K KF,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道CJ3134K KF，SOT-723封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):750mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,650mA，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJE3139K 39K P沟道 SOT-523 150mW 20V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 CJE3139K 39K P沟道 SOT-523 150mW 20V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000227332202 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-523 型号：CJE3139K 39K 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOT-523-CJE3139K 39K（CJ SOT-523) 规格尺寸:SOT-523 功率(Pd):150mW 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):660mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V 输入电容(Ciss@Vds):113pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJE3139K 39K,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJE3139K 39K，SOT-523封装，漏源电压(Vdss):20V，连续漏极电流(Id):660mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@4.5V,1A，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):113pF，反向传输电容(Crss@Vds):，工厂呆滞料，价格特惠。
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2SK3018 N沟道 SOT-323 200mW 30V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 2SK3018 N沟道 SOT-323 200mW 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000254472211 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-323 型号：2SK3018 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-323-2SK3018 规格尺寸:SOT-323 功率(Pd):200mW 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V 输入电容(Ciss@Vds):13pF 反向传输电容(Crss@Vds):4pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ 2SK3018,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道2SK3018，SOT-323封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):100mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):13pF，反向传输电容(Crss@Vds):4pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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BSS138 N沟道 SOT-23 360mW 50V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 BSS138 N沟道 SOT-23 360mW 50V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000086262206 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOT-23 型号：BSS138 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:N沟道 核心参数:SOT-23-BSS138 规格尺寸:SOT-23 功率(Pd):360mW 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):220mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V 输入电容(Ciss@Vds):27pF 反向传输电容(Crss@Vds):6pF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ BSS138,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJN沟道BSS138，SOT-23封装，漏源电压(Vdss):50V，连续漏极电流(Id):220mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA，阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V，栅极电荷(Qg@Vgs):，输入电容(Ciss@Vds):27pF，反向传输电容(Crss@Vds):6pF，工厂呆滞料，价格特惠。
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CJQ4407S P沟道 SOP-8 1.4W 30V 2022批次 MOSFET 代售 对比 收藏 CJQ4407S P沟道 SOP-8 1.4W 30V 2022批次 MOSFET pdf规格书 商品编号：NS01000320052210 品牌：长晶/CJ 封装规格：SOP-8 型号：CJQ4407S 规格描述： 标准:工业级 分类:MOSFET 类型:P沟道 核心参数:SOP-8 规格尺寸:SOP-8 功率(Pd):1.4W 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V 栅极电荷(Qg@Vgs):48nC 输入电容(Ciss@Vds):2.885nF 反向传输电容(Crss@Vds):2.885nF 安装方式:SMD/贴片 等级:I级 批次:2022 品牌:长晶/CJ CJQ4407S,MOSFET尾料，2022批次，现货特价，原厂正品，保存完好。长晶/CJP沟道CJQ4407S，SOP-8封装，漏源电压(Vdss):30V，连续漏极电流(Id):11A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V，栅极电荷(Qg@Vgs):48nC，输入电容(Ciss@Vds):2.885nF，反向传输电容(Crss@Vds):2.885nF，工厂呆滞料，价格特惠。
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